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    HJT电池行业发展简述

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    任务小子

      最近硅片的价格不断降价,很多朋友担心光伏未来的发展和走势,我想说没必要,A股的特色就是给很多人培养了短视的习惯,如果股市放在半夜开盘,我相信咱们的生态和心态会好很多。

    HJT电池行业发展简述

      在说HJT电池之前,先说一个小科普。

      HJT电池和HIT电池是一样的,都叫“光伏异质结电池”。

      它们只是称呼不同而已,因为HIT电池最早由日本三洋公司于1990年成功开发,因HIT早已被三洋注册为商标,因此HIT电池又被称为HJT、HDT、或SHJ。看到这几个单词别晕,它们都是指同一个东西,即“光伏异质结电池”。

      光伏这个行业内卷也很严重,但是不管怎么卷,核心都是为了“降本+升效”、降低度电成本,像颗粒硅,大尺寸,硅片薄片化,HJT电池等等。

      而这其中电池片是光伏产业链重大技术变革环节。

      电池片技术发展史:铝背场 BSF 电池(1 代, 2017 年以前)PERC 电池(2代,2017 年至今)PERC+/TOPCon(2.5代)HJT 电池(3代)HBC电池(4代,可能潜在方向)钙钛矿叠层电池(5代,可能潜在方向)。

    HJT电池行业发展简述

      通过单晶电池技术的不断迭代,转换效率从 2014 年的 19%上升至 2020 年的 23%-24%,预计未来有望迈向 30%。前段时间隆基的商业尺寸HJT(M6硅基异质结)太阳能电池经ISFH测试,转换效率达26.3%,打破世界纪录。

      …… ……

      虽然当前PERC电池仍为市场主流技术路径,但产线扩张即将进入尾声。

      据不完全估计,2021年主流PERC电池片厂商规划的新增产能达 143GW、为历史最高值。主要因大尺寸技术迭代小尺寸所致。

      但PERC转换效率已接近24%的理论极限,未来提高空间有限。此外,PERC 电池存在PID、LID、LeTID 等衰减,后期发电能力弱。预计 2021 年 PERC 扩产潮将达到顶峰、此后各大厂商再扩 PERC 产能意愿有限,更多精力将用于布局 HJT、TOPCon 等新技术路径电池。

      对比 PERC 电池,大家发现HJT电池潜力巨大,技术具有颠覆性,一致认为HJT电池将成为第三代电池片技术主流。根据综合测算,HJT在25年全生命周期综合发电量较PERC高15%-20%。

      HJT电池主要有以下优势:

      1. 转换效率更优:HJT 效率潜力超 28%,远高 PERC 电池。受 P 型单晶电池自身材料的限制,PERC 电池转换效率已接近天花板,而 HJT 最高转换效率已超 26%,长期有望超 28%,效率优势明显。

    HJT电池行业发展简述

      2.工艺流程更简化,降本空间更大:HJT 为低温工艺,在硅片成本(利于薄片化和减少热损伤)和非硅成本(燃料能源节约)上均更优。同时,HJT 只需 4 道工艺,相比 PERC(8 道工艺)和 TOPCon(9-12道工艺)成本更低。

    HJT电池行业发展简述

      3.光致衰减更低:HJT 电池 10 年衰减率小于 3%,25 年发电量下降仅为 8%,衰减速度远低于 PERC 及 TOPCon 电池。

      4.低温系数、稳定性高:在 82 摄氏度环境下,HJT 光电转换效率比传统组件高出13%。

      5.双面率更高:HJT 为双面对称结构,双面率有望提升至 93-98%(PERC 和 TOPCon均在 80%附近,但很难再提升),可获得 10%以上的年发电量增益。

    HJT电池行业发展简述

      ……

      说了这么多,目前HJT的进展如何呢?

      据不完全统计,目前 HJT 国内规划产能超 60GW,新老电池片厂商均有开始布局。

      随着设备国产化、银浆和靶材成本的降低、以及转换效率提升带来的“增效+降本”效益凸显,2022 年行业将进入快速爆发阶段、扩产规模有望达 30GW 以上。

      目前HJT的唯一缺点是成本较高,但是随着设备国产化、银浆和靶材成本的降低、以及转换效率提升带来的“增效+降本”效益,预计到 2022 年 HJT将达到与 PERC 旗鼓相当的成本区间。

      而HJT电池主要降本方向有下面四个方向:

      1.硅片:目前 N 型硅片对比 P 型具有约 8%左右的溢价空间,未来有望通过 2 方面降本。HJT 为低温工艺,利于硅片的薄片化(从 170um 降低至 120-130um)。预计硅片每减薄 20um 价格可下降 10-15%,对应组件价格降低 5-6 分/瓦。随着未来 N 型硅片需求起量,规模效应将缩小 N 型与 P 型硅片之间的溢价空间。

      2.设备折旧:随着国产设备的“降本+提效”,目前 4-5 亿/GW 的设备投资额仍有较大的降本空间。

      3.浆料:HJT 需使用低温银浆,目前主要依赖进口,有望通过 4 大方向降本。

      1)无主栅、多主栅技术在 HJT 电池、组件上的应用,使得银浆的耗量快速减少。

      2)“银包铜技术”商业化量产,将降低银浆耗量 30%。

      3)通过对串焊设备精度的提升,减小银浆主栅上焊接点的大小(银浆主栅上耗银量较高的部分),从而节省主栅上的银浆耗量。

      4)国产低温银浆起量(常州聚和、苏州晶银、浙江凯盈等),打破日本垄断,相比高温浆料的溢价将大幅消失。

      4.靶材:目前主要被日本住友垄断,未来将通过提升靶材利用率、规模化回收、背面AZO 替代和国产化(广东先导、壹纳光电等)降本等方式解决。

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