英诺赛科（深圳）半导体有限公司申请“电池包的保护电路、电池包”专利

　　近日，英诺赛科（深圳）半导体有限公司——一家在半导体领域具有深厚技术积累和创新能力的领先企业，再次展示了其在电池技术方面的突破。该公司向国家知识产权局提交了一项名为“电池包的保护电路、电池包”的专利申请，公开号为CN 119070439 A，申请日期为2024年9月。

　　英诺赛科自成立以来，专注于第三代半导体氮化镓的应用与研发，公司采用IDM全产业链商业模式，拥有两座8英寸GaN-on-Si晶圆生产基地，是全球首家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司，同时也是全球唯一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的品牌。其产品线涵盖从低压到高压的氮化镓功率器件，广泛应用于消费电源、手机、激光雷达、数据中心、光伏发电、储能与自动驾驶等多个领域。此次申请的专利，是英诺赛科在电池技术领域的一次重要创新。

　　据专利摘要显示，该发明涉及一种电池包的保护电路及电池包本身。电池包的设计包括第一电池连接端和第二电池连接端，每个电池连接端都配备了至少一个外部连接端，这些外部连接端又通过至少一个双向导通器件与外部电路相连。双向导通器件的核心是至少一个双向晶体管，它们确保了电池连接端与外部连接端之间的电连接。

　　保护电路部分，则是该发明的亮点所在。它包含与双向导通器件一一对应的至少一个驱动模块。每个驱动模块由保护输入端、导通电压输入端和驱动输出端三部分组成。保护输入端负责接收来自外部的保护信号，导通电压输入端则用于输入必要的导通电压，而驱动输出端则直接连接到双向晶体管的控制端。当接收到保护信号时，驱动模块能够迅速响应，控制导通电压输入端和驱动输出端之间的导通或关断状态，从而实现对电池包中双向导通晶体管的精确驱动和保护。

　　这一创新不仅提高了电池包的安全性和稳定性，还为电池技术的发展提供了新的思路和方向。英诺赛科凭借其深厚的技术底蕴和持续的创新能力，在半导体和电池技术领域不断取得新的突破，为全球客户提供更加优质、可靠的产品和服务。